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800V125kW SIC 双面水冷控制器

随着半导体技术的发展,目前SiC功率器件已经成为国内外第三代半导体的重要发展方向,与Si功率器件相比,具有高温、高压、高频等特性。本项目通过采用先进的电机模拟器(PowerHil)技术、以及基于FPGA的快速原型机开发等,方便实现不同SiC器件和模块的验证,很方便的进行SiC功率器件特性的研究。

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所属分类:

特种控制器

关键词:

产品描述

产品概述

随着半导体技术的发展,目前SiC功率器件已经成为国内外第三代半导体的重要发展方向,与Si功率器件相比,具有高温、高压、高频等特性。本项目通过采用先进的电机模拟器(PowerHil)技术、以及基于FPGA的快速原型机开发等,方便实现不同SiC器件和模块的验证,很方便的进行SiC功率器件特性的研究。

本项目是基于SiC双面水冷封装形式功率器件开发驱动器。

项目

考核指标

直流母线电压

≯800V

控制器额定功率

≥125Kw

控制器峰值功率

≥250Kw

控制器最高效率

≥99%@500V

控制器的最大开关频率

≥20kHz

控制器的最大输出电流

≥400Arms@120s,600Vdc

功率半导体

双面水冷封装形式的SiC器件

控制器工作环境温度

-40℃~85℃

控制器最高运行频率

≥1000Hz

控制电源供电范围

12V(8V—18V)

功率密度

≥30kW/L

控制器的工作原理

电气原理图

三相 SiC 电机控制器的主要任务是将电池组输出的直流电(DC)转换为频率和幅度可调的三相交流电(AC),以驱动永磁同步电机(PMSM)或异步电机。

  • 直流支撑环节(DC Link): 电池提供的直流电首先通过母线电容进行稳压和滤波,以吸收开关过程中的电压波动。
  • 三相逆变桥: 这是控制器的核心,由三组(共 6 个)SiC MOSFET 组成。每组包含一个上桥臂和一个下桥臂,分别控制电流流向电机的 U、V、W 三相。
  • SiC MOSFET 的角色: 作为高速电子开关,通过极快地“开”与“关”,将直流电切割成脉冲序列。

 

技术规格

名称

规格参数

电机控制器型号

CE-800/400-X0HS-TZ/SC-GC

额定输入电压

600Vdc

最高输入电压

800Vdc

适用电机

永磁同步电机或交流异步电机

额定功率(kW)

125kW

峰值功率(kVA)

250kW

额定输出电流

250A

峰值输出电流

≥400Arms@120s,600Vdc

外部供电输入电压范围

10~32V 典型值12V/2A

额定条件控制器效率(%)

≥99%

输出频率范围

0.00~1200Hz

外形尺寸(mm)

296mm×195mm×117mm

重量(kg)

约7.5kg

冷却方式

液冷

水流量

≥15L/min

防护等级

IP67

工作环境温度

-40℃~+105℃

编码器类型

旋转变压器

控制方式

转矩或转速

转矩响应时间

零转矩~额定转矩 <100ms

转矩控制精度

±5%额定转矩

转速控制精度

≤±1%

高压输入端子

+、-

车用连接器 两芯

高压输出端子

U、V、W

车用连接器 三芯

电机温度传感器

Pt100(默认);亦可硬件配置为Pt1000

保护功能

控制器过温、电机过温、过载、短路、过流、过压、欠压等

外形尺寸(可选)

 

产品特点

  • 支持多种通讯协议(CAN、RS485、ModBus)
  • 驱动方案采用三相全桥逆变,U、V、W每个桥臂使用1个800A的SiC功率器件,可输出不低于400A的相电流;
  • 使用上、下两块水冷板压紧双面水冷SiC器件;
  • Gate Driver选用Rohm驱动IC,它有足够的驱动能力,3750Vrms隔离耐压;
  • 输出侧3个霍尔,采样U、V、W输出电流。
  • 输入侧1个霍尔,采样DC电流。
  • 箱体内安装被动放电电阻。

 

应用场景

车辆电机控制器

 

应用现场照片

波形

400A

400A

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